相变存储器及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本公开实施例公开了一种相变存储器及相变存储器的制作方法，相变存储器的制作方法包括：在衬底上依次形成层叠的第一导电层、第一电极层、第一功能层、第二电极层、第二功能层、第三电极层；在衬底的第一区域上形成贯穿第三电极层至第一导电层的第一隔离结构；其中，第一隔离结构沿平行于衬底的第一方向延伸；第一隔离结构将第一电极层分割成第一电极条；在第三电极层上形成第一牺牲层；形成贯穿第一牺牲层至第一电极条的第二隔离结构；其中，第二隔离结构沿垂直于第一方向的第二方向延伸；第二隔离结构将第一牺牲层分割成第一牺牲条；所述第一牺牲条，形成第一沟槽；在第一沟槽中形成第二地址线。
基本信息
专利标题 ：
相变存储器及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512598A
申请号 ：
CN202210031725.1
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2022-01-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘峻
申请人 ：
长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城海外人才大楼A座18楼242室
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐雯
优先权 ：
CN202210031725.1
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00 H01L27/24
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 45/00
申请日 : 20220112
申请日 : 20220112
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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