相变存储器及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明实施例公开了一种相变存储器及其制作方法。其中，所述相变存储器的制作方法包括：提供位于衬底上的多条并列设置的第一地址线，以及位于每条所述第一地址线上的多个间隔设置的子堆叠结构；每个所述子堆叠结构至少包括第一电极层；形成覆盖所述第一电极层的绝缘层；在所述绝缘层中形成多个通孔；每一所述通孔均与相对应的子堆叠结构中的所述第二电极层接触；在所述通孔中形成相变存储层；至少依次在所述相变存储层上形成层叠设置的第二电极层和第二地址线。
基本信息
专利标题 ：
相变存储器及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512601A
申请号 ：
CN202210106648.1
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2022-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡靖刘峻刘国强
申请人 ：
长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城海外人才大楼A座18楼242室
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵翠萍
优先权 ：
CN202210106648.1
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00 H01L27/24
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 45/00
申请日 : 20220128
申请日 : 20220128
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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