相变存储器件及其制造方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
提供了一种要求低驱动电流脉冲的相变存储器件及其制造方法。在所述相变存储器件中，在第一电极上形成介电层，在所述介电层的接触孔中形成导电触头。在所述介电层上形成相变材料膜以覆盖所述导电触头，并在所述相变材料膜上形成第二电极。晶体管电连接至所述第一电极。由此形成了宽度小于30nm的导电触头。
基本信息
专利标题 ：
相变存储器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828923A
申请号 ：
CN200610004964.9
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2006-01-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐东硕姜闰浩瓦西列·勒尼阿钦宋美贞瑟盖·安托诺夫
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610004964.9
主分类号 ：
H01L27/24
IPC分类号 ：
H01L27/24 H01L45/00 H01L21/822
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法律状态
2010-07-21 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101003406737
IPC(主分类) : H01L 27/24
专利申请号 : 2006100049649
公开日 : 20060906
号牌文件序号 : 101003406737
IPC(主分类) : H01L 27/24
专利申请号 : 2006100049649
公开日 : 20060906
2008-03-19 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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