相变存储器件及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种相变存储器件及其制造方法。所述相变存储器件包括：下电极，电连接到形成于半导体衬底上的晶体管；第一绝缘层，覆盖所述下电极和所述衬底且具有暴露所述下电极的第一孔；导电接触，形成于所述第一孔中；第二绝缘层，形成于所述第一绝缘层上，具有对应于所述导电接触的第二孔；相变材料层，填充所述第二孔；和上电极，覆盖形成的所述相变材料层的上表面，其中，所述相变材料层和上电极基本对准，且所述上电极的宽度大于所述相变材料层的宽度。
基本信息
专利标题 ：
相变存储器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1893104A
申请号 ：
CN200610007121.4
公开（公告）日 ：
2007-01-10
申请日 ：
2006-02-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姜闰浩
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610007121.4
主分类号 ：
H01L27/24
IPC分类号 ：
H01L27/24 H01L45/00 H01L21/822 G11C11/56
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法律状态
2009-12-30 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-07-16 ：
实质审查的生效
2007-01-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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