相变存储器的制作方法
实质审查的生效
摘要
本公开实施例公开了一种相变存储器的制作方法，所述方法包括：在第一导电层上形成堆叠结构；其中，所述堆叠结构至少包括层叠设置的电极层和相变材料层；沿垂直于所述第一导电层的第一方向，形成贯穿所述堆叠结构和所述第一导电层的第一间隙；形成覆盖所述第一间隙的侧壁的第一绝缘层；对所述第一绝缘层显露的表面进行活化处理；以第一绝缘介质填充包括所述第一绝缘层的第一间隙，形成第一隔热结构；其中，所述第一隔热结构与所述第一绝缘层经过所述活化处理的表面接触。
基本信息
专利标题 ：
相变存储器的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512603A
申请号 ：
CN202210108002.7
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2022-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
唐平刘峻贺祖茂
申请人 ：
长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城海外人才大楼A座18楼242室
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵翠萍
优先权 ：
CN202210108002.7
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00 H01L27/24
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 45/00
申请日 : 20220128
申请日 : 20220128
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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