相变存储器器件
公开
摘要
本公开涉及一种相变存储器器件(2)，该相变存储器器件在第一电极(23)和第二电极(21)之间包括：相变材料的第一层(25)；以及与第一层接触的第二氮化锗基层(27)，第二层中的氮百分比在20％和35％之间并且第二层具有第一层的相变材料穿过的通道。
基本信息
专利标题 ：
相变存储器器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530553A
申请号 ：
CN202111395842.8
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2021-11-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
加布里埃莱·纳瓦罗奇亚拉·萨比奥内纪尧姆·布尔乔亚安娜丽莎·塞拉
申请人 ：
原子能与替代能源委员会
申请人地址 ：
法国巴黎
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
谭营营
优先权 ：
CN202111395842.8
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00
法律状态
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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