存储器件
公开
摘要
一种存储器件，包括：单元堆叠结构，在衬底上，该单元堆叠结构包括交替堆叠的绝缘层和栅极图案；构道结构，穿过单元堆叠结构，该构道结构沿竖直方向延伸；虚设结构，在衬底上，该虚设结构与单元堆叠结构间隔开，并且该虚设结构包括交替堆叠的绝缘层和金属图案；第一通孔接触，穿过虚设结构，该第一通孔接触沿竖直方向延伸；以及第一封盖绝缘图案，在第一通孔接触的侧壁和虚设结构中的金属图案中的每一个之间，该第一封盖绝缘图案将第一通孔接触与金属图案中的每一个绝缘。
基本信息
专利标题 ：
存储器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334993A
申请号 ：
CN202110964976.0
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-08-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
权炯辉金俊锡林钟欣
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
纪雯
优先权 ：
CN202110964976.0
主分类号 ：
H01L27/11565
IPC分类号 ：
H01L27/11565 H01L27/1157 H01L27/11573 H01L27/11575 H01L27/11582
法律状态
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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