开关器件及其制造方法，相变随机存储器
授权
摘要
公开了一种开关器件的制造方法，包括：在衬底上形成绝缘层；在绝缘层上形成图案化的栅极导体；在栅极导体的表面形成侧墙以及在所述栅极导体两侧的衬底中形成源区和漏区包括：在栅极导体的表面形成第一侧墙，在第一侧墙两侧的衬底中形成第一掺杂区；在第一侧墙表面形成第二侧墙，在第二侧墙两侧的第一掺杂区中形成第二掺杂区；在第二侧墙表面依次形成第三侧墙和第四侧墙；在第四侧墙两侧的第二掺杂区中形成第三掺杂区，在第三掺杂区中形成第四掺杂区，其中，所述第一掺杂区至所述第四掺杂区的掺杂剂量依次增加。本申请的相变随机存储器，通过在侧墙形成过程中进行多次离子注入，可以获得更缓变的PN结，从而降低碰撞电离率，改善HCI效应。
基本信息
专利标题 ：
开关器件及其制造方法，相变随机存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112289927A
申请号 ：
CN202010974563.6
公开（公告）日 ：
2021-01-29
申请日 ：
2020-09-16
授权号 ：
CN112289927B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
甘程
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡纯
优先权 ：
CN202010974563.6
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2021-02-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 45/00
申请日 : 20200916
申请日 : 20200916
2021-01-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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