相变化存储元件及其制造方法

专利权的终止

摘要

本发明公开了一种相变化存储元件及其制造方法，主要是将碟盘状相变层埋入于绝缘材料中，并利用光刻技术产生位于碟盘状相变层中心且贯穿相变层的中心贯孔，和以中心贯孔为中心且外围位于碟盘状相变层边缘上的环状贯孔。此时，设置于中心贯孔中的加热电极可对相变层进行焦耳加热，并借助控制相变层的厚度来缩小两者间的接触面积。再有，一环状第二电极设置于环状贯孔中，传送至相变层间的环形接触界面的热经第二电极扩散出来，来避免热扩散至相变层外围的刻蚀边界，进而避免刻蚀缺陷及/或残留物熔解扩散至相变化材料内导致相变化异常。

基本信息

专利标题：

相变化存储元件及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101000945A

申请号：

CN200610000297.7

公开（公告）日：

2007-07-18

申请日：

2006-01-09

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

陈维恕陈颐承王文翰许宏辉李乾铭卓言赵得胜李敏鸿

申请人：

财团法人工业技术研究院

申请人地址：

中国台湾新竹县

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司

代理人：

梁挥

优先权：

CN200610000297.7

主分类号：

H01L45/00

IPC分类号：

H01L45/00