相变化存储层及其制造方法及相变化存储单元
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种相变化存储层及其制造方法及相变化存储单元，主要通过添加一种或多种不与相变化材料发生反应的异质晶粒，作为相变化存储层结晶成长的晶核，以减少非晶态转换为结晶态所需的时间。
基本信息
专利标题 ：
相变化存储层及其制造方法及相变化存储单元
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1996633A
申请号 ：
CN200510137671.3
公开（公告）日 ：
2007-07-11
申请日 ：
2005-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈颐承许宏辉李乾铭卓言赵得胜王文翰陈维恕李敏鸿
申请人 ：
财团法人工业技术研究院
申请人地址 ：
中国台湾新竹县
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
梁挥
优先权 ：
CN200510137671.3
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00
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法律状态
2010-07-14 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101003243931
IPC(主分类) : H01L 45/00
专利申请号 : 2005101376713
公开日 : 20070711
号牌文件序号 : 101003243931
IPC(主分类) : H01L 45/00
专利申请号 : 2005101376713
公开日 : 20070711
2007-09-05 ：
实质审查的生效
2007-07-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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