一种存储单元及其制造方法、存储单元阵列、芯片
实质审查的生效
摘要

本公开提供了一种存储单元及其制造方法、存储单元阵列、芯片,存储单元包括:半导体衬底、选择晶体管和反熔丝晶体管;反熔丝晶体管形成于半导体衬底表面之下,包括下电极层、中间介质层和上电极层,下电极层复用为选择晶体管的第一源/漏区,中间介质层形成在半导体衬底中,下电极层形成于中间介质层的一侧,上电极层被中间介质层包围。本公开实施例中反熔丝晶体管采用埋栅结构,克服了相关技术中反熔丝晶体管的栅极宽度的尺寸限制,能显著地减小反熔丝晶体管在存储单元中所占的面积,缩小存储单元的尺寸,进而能缩小采用该存储单元的存储器件的尺寸。一个反熔丝晶体管可用于形成两个存储单元,使存储单元的排列更加紧凑,缩小存储器件的尺寸。

基本信息
专利标题 :
一种存储单元及其制造方法、存储单元阵列、芯片
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114429957A
申请号 :
CN202011181916.3
公开(公告)日 :
2022-05-03
申请日 :
2020-10-29
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
安佑松赵劼杨涛高建峰
申请人 :
中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请人地址 :
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 :
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 :
刘广达
优先权 :
CN202011181916.3
主分类号 :
H01L27/108
IPC分类号 :
H01L27/108  H01L21/8242  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-05-20 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20201029
2022-05-03 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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