本公开提供了一种存储单元及其制造方法、存储单元阵列、芯片，存储单元包括：半导体衬底、选择晶体管和反熔丝晶体管；反熔丝晶体管形成于半导体衬底表面之下，包括下电极层、中间介质层和上电极层，下电极层复用为选择晶体管的第一源/漏区，中间介质层形成在半导体衬底中，下电极层形成于中间介质层的一侧，上电极层被中间介质层包围。本公开实施例中反熔丝晶体管采用埋栅结构，克服了相关技术中反熔丝晶体管的栅极宽度的尺寸限制，能显著地减小反熔丝晶体管在存储单元中所占的面积，缩小存储单元的尺寸，进而能缩小采用该存储单元的存储器件的尺寸。一个反熔丝晶体管可用于形成两个存储单元，使存储单元的排列更加紧凑，缩小存储器件的尺寸。