反熔丝晶体管及其制造方法、存储单元及其阵列、芯片
实质审查的生效
摘要
本公开提供一种反熔丝晶体管及其制造方法、存储单元、存储单元阵列、芯片，该反熔丝晶体管包括：半导体衬底及形成于其内的浅槽隔离层；形成于半导体衬底和浅槽隔离层之上的栅极氧化层；形成于栅极氧化层之上的栅极，栅极的底面宽度大于浅槽隔离层的上表面宽度，浅槽隔离层的上表面边缘位于栅极的底面边缘以内。本公开实施例通过浅槽隔离层将一个反熔丝晶体管分隔为两个独立的反熔丝结构，能够缩小存储器件尺寸。本公开还将栅极氧化层设计为圆弧状，使电场集中在栅极氧化层的圆弧部分，使击穿位置能够控制在很小区域内，使击穿后的电阻值能位于一定阻值范围内，有利于简化反熔丝晶体管的读取电路，提高使用该反熔丝晶体管的存储器件的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
反熔丝晶体管及其制造方法、存储单元及其阵列、芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114429991A
申请号 ：
CN202011185825.7
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2020-10-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
安佑松赵劼杨涛张欣李俊峰王文武
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘广达
优先权 ：
CN202011185825.7
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06 H01L29/423 H01L21/336 H01L27/108
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20201029
申请日 : 20201029
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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