CMOS晶体管和单电容动态随机存取存储单元及其制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种互补型MOS单电容动态取样存储单元，该存贮单元无阈值损失，在无升压字线的情况下工作，它包括一存储电容和与该电容相连的、起两个互补晶体管器件作用的n型和p型传输器件，它们的栅极由RAM字线上的互补信号控制。
基本信息
专利标题 ：
CMOS晶体管和单电容动态随机存取存储单元及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1040462A
申请号 ：
CN89104647.X
公开（公告）日 ：
1990-03-14
申请日 ：
1989-07-08
授权号 ：
CN1027411C
授权日 ：
1995-01-11
发明人 ：
桑胡·德胡沃尔特·哈维·亨克斯尼克·昌春鲁
申请人 ：
国际商用机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN89104647.X
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/82 G11C11/21
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2005-04-27 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2004-12-01 ：
发明专利公报更正
更正误 : 错公告
卷 : 20
号 : 36
页码 : 561
更正项目 : 专利权的终止
正 : 删除
卷 : 20
号 : 36
页码 : 561
更正项目 : 专利权的终止
正 : 删除
2004-09-08 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-04-24 ：
其他有关事项
1995-01-11 ：
授权
1991-10-16 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1990-03-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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