高密度动态随机存取存储单元

专利申请的视为撤回

摘要

一种存储单元及制造该单元及其阵列的方法，该单元为沟道电容器型，基片的主表面上形成晶体管，在沟槽周围形成电容器。两者由隐埋的重掺杂区连接，该区的导电类型与基片相反。沟槽周围为掺杂存储区，其导电类型与重掺杂区同，沟槽中形成的场板延伸到各单元间的隔离区域并经电介质层与存储区隔离，故可使隔离区域最小，由隐埋的N⁺层连接晶体管的源极和隐埋的掺杂层，形成的侧壁氮化硅钝化线保护两多晶硅层的层间绝缘区的侧壁。

基本信息

专利标题：

高密度动态随机存取存储单元

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1051105A

申请号：

CN90103572.6

公开（公告）日：

1991-05-01

申请日：

1990-05-14

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

马萨阿基·耶雪罗西杰基·莫雷纳加克拉伦斯·王兴登

申请人：

德克萨斯仪器股份有限公司

申请人地址：

美国得克萨斯州

代理机构：

上海专利事务所

代理人：

颜承根

优先权：

CN90103572.6

主分类号：

H01L27/108

IPC分类号：

H01L27/108 H01L21/82