半导体单元、存储单元和存储单元阵列及其形成方法
专利权的终止
摘要
一种相变存储单元的制造方法，在此存储单元中的一个相变存储元件的截面积可由下电极的第一尺寸及蚀刻工艺所控制的第二尺寸来控制。接触窗的面积为第一尺寸和第二尺寸之积。此方法可以制造非常小的相变存储单元。
基本信息
专利标题 ：
半导体单元、存储单元和存储单元阵列及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101009358A
申请号 ：
CN200510114479.2
公开（公告）日 ：
2007-08-01
申请日 ：
2005-10-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
龙翔澜
申请人 ：
旺宏电子股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹县新竹科学工业园区力行路16号
代理机构 ：
北京连和连知识产权代理有限公司
代理人 ：
薛平
优先权 ：
CN200510114479.2
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00 H01L27/24
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法律状态
2020-10-16 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 45/00
申请日 : 20051027
授权公告日 : 20090429
终止日期 : 20191027
申请日 : 20051027
授权公告日 : 20090429
终止日期 : 20191027
2009-04-29 ：
授权
2007-09-26 ：
实质审查的生效
2007-08-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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