存储单元阵列偏置方法以及半导体存储器件
授权
摘要
提供了一种在数据写入操作期间偏置存储单元阵列的方法和一种半导体存储器件。该半导体存储器件包括：存储单元阵列，其包括多个存储单元，其中，存储单元的第一端连接到多条第一线中的对应第一线，且存储单元的第二端连接到多条第二线中的对应第二线；以及偏置电路，用于将选择的第二线偏置到第一电压，并且将未被选择的第二线偏置到第二电压。
基本信息
专利标题 ：
存储单元阵列偏置方法以及半导体存储器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1811988A
申请号 ：
CN200610005029.4
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2006-01-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵栢衡金杜应郭忠根姜尚范赵佑荣吴泂录
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
邸万奎
优先权 ：
CN200610005029.4
主分类号 ：
G11C11/4197
IPC分类号 ：
G11C11/4197 G11C11/409 G11C11/56 G11C16/02
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/4193
专用于特定类型的半导体存储器件的辅助电路，例如，用于寻址的、驱动的、读出的、定时的、供电的、信号传播的
G11C11/4197
读写电路
法律状态
2012-05-30 ：
授权
2008-02-13 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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