半导体浮栅存储单元
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明提出一种半导体存储单元包括源一漏串联连接的几个存储晶体管，每一晶体管包括电浮栅(Fg1…Fgn)并为耗尽型，一个选择晶体管(Tas)被置于第一位线(X)和第二位线(Y)之间。只要串联排列的存储晶体管中还有一个其注入极氧化物没有缺陷，该存储单元即可编入程序，当存储晶体管中有一个注入极氧化物由击穿而损坏，该晶体管即不能编入程序但不影响相应的半导体存储单元编程序的特性。
基本信息
专利标题 ：
半导体浮栅存储单元
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85101422A
申请号 ：
CN85101422.4
公开（公告）日 ：
1987-01-17
申请日 ：
1985-04-01
授权号 ：
CN1003262B
授权日 ：
1989-02-08
发明人 ：
弗里茨·宫脱·阿丹姆
申请人 ：
联邦德国ITT工业有限公司
申请人地址 ：
联邦德国弗欶布尔格
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
肖春京
优先权 ：
CN85101422.4
主分类号 ：
G11C11/34
IPC分类号 ：
G11C11/34
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
法律状态
1998-05-27 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1989-10-18 ：
授权
1989-02-08 ：
审定
1987-12-02 ：
实质审查请求
1987-01-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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