具有浮岛结构的高压屏蔽栅MOSFET
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摘要
本实用新型涉及属于半导体器件的制造技术领域，具体是一种具有浮岛结构的高压屏蔽栅MOSFET。具有浮岛结构的高压屏蔽栅MOSFET包括：半导体基板，所述半导体基板包括N型衬底和生长在N型衬底上的外延层，所述外延层包括下外延层和生长在所述下外延层上的上外延层，所述下外延层中设有P型浮岛区；所述上外延层中开设有沟槽，所述沟槽从第一主面向第二主面方向延伸；所述沟槽的上部为栅极区，沟槽的下部为屏蔽栅区，所述栅极区和屏蔽栅区之间隔离有氧化层；所述栅极区中设有栅极层和栅极氧化层；所述屏蔽栅区中设有屏蔽栅层和屏蔽栅氧化层；能够在获得高耐压时，由于采用低阻的下外延，所以又可以极大的降低导通电阻。
基本信息
专利标题 ：
具有浮岛结构的高压屏蔽栅MOSFET
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921350773.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-19
授权号 ：
CN210429829U
授权日 ：
2020-04-28
发明人 ：
钱振华张艳旺
申请人 ：
无锡橙芯微电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A10栋207
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹祖良
优先权 ：
CN201921350773.7
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L29/423 H01L29/06 H01L23/552 H01L21/336
法律状态
2020-04-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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