具有多浮岛结构的半导体器件
授权
摘要
本实用新型提供了一种具有多浮岛结构的半导体器件，包括N型衬底、N型外延层、源极、第一栅极和第二栅极，其中，N型外延层生长在N型衬底上，包括：第一沟槽和第二沟槽；多个浮岛，其中，一部分浮岛沿第一沟槽的垂直方向依次设置在第一沟槽的下方，并且处于最上方的浮岛覆盖在第一沟槽的底部，另一部分浮岛沿第二沟槽的垂直方向依次设置在第二沟槽的下方，并且处于最上方的浮岛覆盖在第二沟槽的底部；设置在第一沟槽和第二沟槽之间的P层和N+源层，其中，N+源层设置在P层的上方，并且，N+源层和P层均与源极相连，第一栅极设置在第一沟槽的上方，第二栅极设置在第二沟槽的上方。由此，能够有效地提高半导体器件的耐压能力，同时降低导通电阻。
基本信息
专利标题 ：
具有多浮岛结构的半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021526876.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-28
授权号 ：
CN212517211U
授权日 ：
2021-02-09
发明人 ：
俞义长赵善麒
申请人 ：
江苏宏微科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市新北区华山中路18号
代理机构 ：
常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈红桥
优先权 ：
CN202021526876.7
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78
法律状态
2021-02-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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