一种具有浮岛结构的沟槽型垂直氮化镓功率器件
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摘要
本实用新型涉及宽禁带功率电子器件技术领域，具体为一种具有浮岛结构的沟槽型垂直氮化镓功率器件，包括Body电极和外壳体，所述外壳体的顶端设置有沟槽，所述沟槽的内侧壁固定连接栅金属，所述栅金属的内侧设置有栅介质，所述外壳体的内腔自下而上晶片结构依次设置N+衬底、N型漂移区、P型层和N+掺杂层，所述P型层与N+掺杂层对称设置有两组，所述N型漂移区的内侧对称设置P型浮岛，所述外壳体的顶侧两端对称固定连接源漏电极，本实用新型实现在N型漂移区引入两个对称P型浮岛，有利于避免沟槽底部拐角处栅介质处的电场聚集效应，电场强度因P型浮岛的存在而减小，达到了抑制栅介质击穿引起的器件击穿现象，有利于提高击穿电压。
基本信息
专利标题 ：
一种具有浮岛结构的沟槽型垂直氮化镓功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921835897.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-29
授权号 ：
CN210325809U
授权日 ：
2020-04-14
发明人 ：
王中健肖兵梁欢黄肖艳
申请人 ：
季优科技（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区菊园新区环城路2222号1幢J246室
代理机构 ：
上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
冯华
优先权 ：
CN201921835897.4
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/20 H01L29/78
法律状态
2020-04-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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