硅基应力协变衬底及垂直结构氮化镓LED
授权
摘要
本实用新型公开了一种硅基应力协变衬底及应用该硅基应力协变衬底的垂直结构氮化镓LED；其中硅基应力协变衬底包括：一双面抛光硅单晶基底；一薄氮化锆导电反光应力协变层，形成在所述双面抛光硅单晶基底上，所述薄氮化锆导电反光应力协变层的厚度为50nm～350nm；一薄氮化镓单晶薄膜模板层，形成在所述薄氮化锆导电反光应力协变层上，所述薄氮化镓单晶薄膜模板层的厚度不小于所述薄氮化锆导电反光应力协变层的厚度。该硅基应力协变衬底能够在GaN材料和LED器件的高质量制备生长时克服和缓解大失配应力问题。
基本信息
专利标题 ：
硅基应力协变衬底及垂直结构氮化镓LED
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922345475.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-24
授权号 ：
CN210897327U
授权日 ：
2020-06-30
发明人 ：
魏洁魏鸿源陈怀浩杨少延杨瑞李成明李辉杰刘祥林汪连山
申请人 ：
南京佑天金属科技有限公司;中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
江苏省南京市江宁区谷里街道工业集中区庆缘北路116号
代理机构 ：
南京苏高专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
常虹
优先权 ：
CN201922345475.5
主分类号 ：
H01L33/20
IPC分类号 ：
H01L33/20 H01L33/32 H01L33/40 H01L33/42 H01L33/00
法律状态
2020-06-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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