具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底，其特征在于，包括如下几部分：一硅衬底，该硅衬底起支撑的作用；一超薄3C－SiC中间层，该超薄3C－SiC中间层制备在硅衬底上，起失配应变协调的作用，并与硅衬底一起构成硅基可协变衬底；一外延层，该外延层制备在超薄3C－SiC中间层上，并与底部硅衬底有较大晶格失配。
基本信息
专利标题 ：
具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101017864A
申请号 ：
CN200610003071.2
公开（公告）日 ：
2007-08-15
申请日 ：
2006-02-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨少延杨霏李成明范海波陈涌海刘志凯王占国
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
100083北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汤保平
优先权 ：
CN200610003071.2
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L31/0248 H01L31/18 H01L29/02 H01L21/20
法律状态
2009-02-11 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-10-10 ：
实质审查的生效
2007-08-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
