具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底，其特征在于，包括如下几部分：一常规SOI可协变衬底，包括起支撑作用的底部Si(100)衬底、中间起解偶合作用的氧化硅绝缘层，顶部起失配应变协调作用的超薄Si单晶可协变层；一具有立方结构的氮化铪薄中间层，制备在常规SOI可协变衬底的顶部超薄Si单晶可协变层上，并与之一起构成复合可协变层，共同协调失配应变，从而得到一种SOI型复合可协变层衬底；一大失配外延层，与Si衬底1有较大晶格失配，制备在立方氮化铪薄中间层上，并与前两部分一起构成大失配异质结构材料。
基本信息
专利标题 ：
具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101017831A
申请号 ：
CN200610003530.7
公开（公告）日 ：
2007-08-15
申请日 ：
2006-02-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨少延陈涌海李成明范海波王占国
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
100083北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汤保平
优先权 ：
CN200610003530.7
主分类号 ：
H01L27/12
IPC分类号 ：
H01L27/12
法律状态
2009-06-17 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-10-10 ：
实质审查的生效
2007-08-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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