具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底,其特征在于,包括如下几部分:一常规SOI可协变衬底,包括起支撑作用的底部Si(100)衬底、中间起解偶合作用的氧化硅绝缘层,顶部起失配应变协调作用的超薄Si单晶可协变层;一具有立方结构的氮化铪薄中间层,制备在常规SOI可协变衬底的顶部超薄Si单晶可协变层上,并与之一起构成复合可协变层,共同协调失配应变,从而得到一种SOI型复合可协变层衬底;一大失配外延层,与Si衬底1有较大晶格失配,制备在立方氮化铪薄中间层上,并与前两部分一起构成大失配异质结构材料。
基本信息
专利标题 :
具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101017831A
申请号 :
CN200610003530.7
公开(公告)日 :
2007-08-15
申请日 :
2006-02-09
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
杨少延陈涌海李成明范海波王占国
申请人 :
中国科学院半导体研究所
申请人地址 :
100083北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 :
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 :
汤保平
优先权 :
CN200610003530.7
主分类号 :
H01L27/12
IPC分类号 :
H01L27/12
法律状态
2009-06-17 :
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-10-10 :
实质审查的生效
2007-08-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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