以多孔氮化镓作为衬底的氮化镓膜的生长方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓(GaN)材料中采用多孔GaN作为衬底的生长方法，其特征在于首先制作多孔GaN衬底的掩膜，然后将掩膜板放入感应耦合等离子中进行刻蚀，接着用酸或碱溶液去除阳极氧化铝，得到多孔GaN衬底；其次是将上述衬底放入氧化物外延生长反应室，在N2气氛下升温750－850℃，通NH3保护模板的GaN层，于1000－1100℃开始通HCL进行GaN生长；本发明仅需采用电化学的方法腐蚀沉积在GaN表面的金属Al层，即可制成多孔网状结构来作为GaN外延的掩膜，大大简化了光刻制作掩膜的工艺。
基本信息
专利标题 ：
以多孔氮化镓作为衬底的氮化镓膜的生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828837A
申请号 ：
CN200610023732.8
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2006-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
雷本亮于广辉王笑龙齐鸣孟胜李爱珍
申请人 ：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址 ：
200050上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
上海智信专利代理有限公司
代理人 ：
潘振甦
优先权 ：
CN200610023732.8
主分类号 ：
H01L21/205
IPC分类号 ：
H01L21/205
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
2019-01-11 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/205
申请日 : 20060127
授权公告日 : 20110420
终止日期 : 20180127
申请日 : 20060127
授权公告日 : 20110420
终止日期 : 20180127
2011-08-31 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101180490983
IPC(主分类) : H01L 21/205
专利号 : ZL2006100237328
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
变更后权利人 : 德泓(福建)光电科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 200050 上海市长宁区长宁路865号
变更后权利人 : 364101 福建永定工业园区
登记生效日 : 20110721
号牌文件序号 : 101180490983
IPC(主分类) : H01L 21/205
专利号 : ZL2006100237328
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
变更后权利人 : 德泓(福建)光电科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 200050 上海市长宁区长宁路865号
变更后权利人 : 364101 福建永定工业园区
登记生效日 : 20110721
2011-04-20 ：
授权
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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