硅衬底上生长的非极性A面氮化物薄膜及其制法和用途
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及一种硅衬底上生长的非极性(1120)A面氮化物薄膜，包括一硅衬底、依次生长在其上的金属层、InGaAlN初始生长层和第一InGaAlN缓冲层，其特征在于：所述的硅衬底为采用(100)面、(110)面或偏角的Si衬底。该硅衬底上生长的非极性A面氮化物薄膜可以应用于发光二极管、激光器、太阳能电池等领域。在其上依据不同的器件应用生长相应的器件外延结构，例如生长和制备的发光二极管和激光器，并进一步利用成熟的硅工艺，制备对应的双面电极器件或采用剥离工艺的器件。与现有技术相比，本发明的优点在于：本发明可以有效提高非极性GaN基材料的生长质量，降低成本；并大幅简化现有器件工艺，降低成本，以及可以大幅度提高散热效率、发光效率。
基本信息
专利标题 ：
硅衬底上生长的非极性A面氮化物薄膜及其制法和用途
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101009346A
申请号 ：
CN200610011294.3
公开（公告）日 ：
2007-08-01
申请日 ：
2006-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈弘周均铭贾海强郭丽伟
申请人 ：
中国科学院物理研究所
申请人地址 ：
100080北京市海淀区中关村南三街8号
代理机构 ：
北京泛华伟业知识产权代理有限公司
代理人 ：
高存秀
优先权 ：
CN200610011294.3
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L31/0248 H01L31/18 H01L21/3205 H01L21/20 H01S5/00 C23C16/44
法律状态
2009-08-26 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-09-26 ：
实质审查的生效
2007-08-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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