薄膜磁电阻磁带磁头及其制法
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
公开了一种薄膜磁电阻磁带磁头及其制法。本发明通过以下方式最大限度地减少了对该磁头装置的磨损；（１）最大限度地减少该读取元件（１８６）及其相应的写出元件（１９８）之间的距离，（２）由硬材料制成该磁头装置，和（３）将一硬块件（５０）置于该读取和写出元件之间。该磁头装置每数据磁道仅使用一副读取和写出元件，但各副之间彼此方向相反，以使该磁头装置能够在磁带上双向读写并行。
基本信息
专利标题 ：
薄膜磁电阻磁带磁头及其制法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1083614A
申请号 ：
CN93109294.9
公开（公告）日 ：
1994-03-09
申请日 ：
1993-08-20
授权号 ：
CN1051394C
授权日 ：
2000-04-12
发明人 ：
Ｔ·Ａ·舒尔茨
申请人 ：
明尼苏达州采矿和制造公司
申请人地址 ：
美国明尼苏达
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
吴大建
优先权 ：
CN93109294.9
主分类号 ：
G11B5/31
IPC分类号 ：
G11B5/31 G11B5/39
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11B
基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储
G11B5/00
借助于记录载体的激磁或退磁进行记录的；用磁性方法进行重现的；为此所用的记录载体
G11B5/127
磁头的结构或制造，例如电感应的
G11B5/31
应用薄膜的
法律状态
2008-10-22 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2000-04-12 ：
授权
1995-12-06 ：
实质审查请求的生效
1994-03-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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