薄膜复合磁头

专利权的终止未缴年费专利权终止

摘要

薄膜复合(MIG)的铁氧体磁头有第一和第二铁芯元件(12，14)，它们有相对的面(12A，14A)，和在相对面之间产生不可磁化缝隙的材料(30)。至少在相对面中的一个和产生不可磁化缝隙的材料之间装设一层很薄的难熔金属的屏蔽层(22，26)，和一层高磁矩材料。每个屏蔽层是由钨或钽构成，每个高磁矩材料层是由三达斯特(铁硅铝磁合金)组成。

基本信息

专利标题：

薄膜复合磁头

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1047748A

申请号：

CN90100292.5

公开（公告）日：

1990-12-12

申请日：

1990-01-22

授权号：

CN1021491C

授权日：

1993-06-30

发明人：

马斯·托马斯·拉斯克利莱·利兰·朗沃思

申请人：

海门科技国际公司

申请人地址：

英属西印度群岛大开曼岛乔治城邮箱309号

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

章社杲

优先权：

CN90100292.5

主分类号：

G11B5/31

IPC分类号：

G11B5/31

IPC结构图谱

G部——物理

G11

信息存储

G11B

基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储

G11B5/00

借助于记录载体的激磁或退磁进行记录的；用磁性方法进行重现的；为此所用的记录载体

G11B5/127

磁头的结构或制造，例如电感应的

G11B5/31

应用薄膜的

法律状态

2006-03-22 ：

专利权的终止未缴年费专利权终止

2002-04-24 ：

其他有关事项

2001-05-09 ：

著录项目变更

变更事项 : 专利权人
变更前 : 海门科技国际公司
变更后 : 西加特技术有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前 : 英属西印度群岛在开曼岛
变更后 : 美国加利福尼亚洲

1993-06-30 ：

授权

1992-09-23 ：

实质审查请求已生效的专利申请

1991-05-08 ：

著录项目变更

变更事项 : 申请人
变更前 : 磁性外围设备有限公司
变更后 : 海门科技国际公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国明尼苏达州
变更后 : 英属西印度群岛·大开曼岛

1990-12-12 ：

公开

1990-06-06 ：

实质审查请求

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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