薄膜磁头的评价方法

专利权的终止

摘要

本发明提供一种可以高精度地评价薄膜磁头输出特性是否良好的方法。在具有将反铁磁性层、固定磁性层、非磁性导电层和自由磁性层层叠构成的旋转阀膜、以及与该旋转阀膜的磁道宽度方向的两侧相接触的硬偏磁膜的薄膜磁头中，首先，在磁道宽度方向上磁化硬偏磁膜(第一磁化工序)，施加交流电场来测量磁头输出特性(第一次测量工序)。接着，在与磁道宽度方向正交的高度方向上磁化了硬偏磁膜后，至少执行一次在磁道宽度方向上磁化的处理，使该硬偏磁膜的磁化方向返回到磁道宽度方向(第二磁化工序)。接着，在与第一次测量工序相同的条件下施加交流电场来测量磁头输出特性(第二次测量工序)。并且，比较第一次与第二次的测量结果，判定磁头输出特性是否良好。

基本信息

专利标题：

薄膜磁头的评价方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1819027A

申请号：

CN200610006811.8

公开（公告）日：

2006-08-16

申请日：

2006-02-07

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

柳修二高桥彰角张裕也山下友宏

申请人：

阿尔卑斯电气株式会社

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

胡建新

优先权：

CN200610006811.8

主分类号：

G11B5/39

IPC分类号：

G11B5/39 H01L43/08 G01R33/09