薄膜磁头
专利申请的视为撤回
摘要
一种薄膜磁头具有最好用强磁性铁镍合金形成的、带台阶结构的成型磁性薄膜。该薄膜设置于环绕线圈的绝缘层和第二磁极层P2下方之间，从而形成一个双磁轭。薄膜在台阶区域具有隅角用于磁畴牵制点，从而使P2层的磁化方向适当对准，进而改进正被记录的数据信号。
基本信息
专利标题 ：
薄膜磁头
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1083251A
申请号 ：
CN93108951.4
公开（公告）日 ：
1994-03-02
申请日 ：
1993-07-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
彼得·G·比肖夫华一钦·佟约翰尼·C·H·陈
申请人 ：
里德-莱特公司
申请人地址 ：
美国加利福利尼
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
范本国
优先权 ：
CN93108951.4
主分类号 ：
G11B5/31
IPC分类号 ：
G11B5/31
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11B
基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储
G11B5/00
借助于记录载体的激磁或退磁进行记录的；用磁性方法进行重现的；为此所用的记录载体
G11B5/127
磁头的结构或制造，例如电感应的
G11B5/31
应用薄膜的
法律状态
1996-05-29 ：
专利申请的视为撤回
1994-03-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1083251A.PDF
PDF下载
