薄膜磁头
专利申请的视为撤回
摘要
一种薄膜磁头由透磁合金的第一和第二磁层形成以构成一带转换间隙的磁轭，并包括一沉积在第二磁层之下的一基层。基层由Fe-N-Al或Fe-N制成。基层可夹在由氧化硅或氧化铝构成的氧化层之间。基层具有高磁性饱和和高磁导率的特性。薄膜磁头可提供一高的写入场而不改变磁头尺寸；或者提供一小的间隙长度而不减小写入场的有效性。通过使用基层的薄膜磁头可增加线性记录密度和提高读取信号的水平。
基本信息
专利标题 ：
薄膜磁头
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1083959A
申请号 ：
CN93109735.5
公开（公告）日 ：
1994-03-16
申请日 ：
1993-09-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
比得·G·斯科夫华庆童
申请人 ：
里德-莱特公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
陈永红
优先权 ：
CN93109735.5
主分类号 ：
G11B5/31
IPC分类号 ：
G11B5/31
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11B
基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储
G11B5/00
借助于记录载体的激磁或退磁进行记录的；用磁性方法进行重现的；为此所用的记录载体
G11B5/127
磁头的结构或制造，例如电感应的
G11B5/31
应用薄膜的
法律状态
1998-02-11 ：
专利申请的视为撤回
1996-01-17 ：
实质审查请求的生效
1994-03-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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