具有窄磁轭的薄膜磁头
实质审查请求的生效
摘要
一种薄膜磁头，其磁轭包括P1和P2磁性材料层，磁轭的宽度在大约5至58μm的范围内，最好约为30μm。磁轭的宽度非常窄，这样便使“爆米花噪声”减至最小程度，并且改进了高频响应特性，提高了磁头电路效率。
基本信息
专利标题 ：
具有窄磁轭的薄膜磁头
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1074307A
申请号 ：
CN92111549.0
公开（公告）日 ：
1993-07-14
申请日 ：
1992-10-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
埃德加·M·威廉姆斯彼得·G·比肖夫阿江心一
申请人 ：
里德-莱特公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
邹光新
优先权 ：
CN92111549.0
主分类号 ：
G11B5/33
IPC分类号 ：
G11B5/33
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11B
基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储
G11B5/00
借助于记录载体的激磁或退磁进行记录的；用磁性方法进行重现的；为此所用的记录载体
G11B5/127
磁头的结构或制造，例如电感应的
G11B5/33
磁通敏感磁头的结构或制造
法律状态
1994-08-03 ：
实质审查请求的生效
1993-07-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1074307A.PDF
PDF下载
