非极性/半极性氮化镓单晶及其助熔剂法生长方法
授权
摘要
本发明公开了一种助熔剂法生长非极性/半极性氮化镓单晶的方法，包括：沿选定的解理面对氮化镓晶片进行解理，并将所获氮化镓晶片排列成阵列，获得解理面氮化镓单晶阵列；以所述解理面氮化镓单晶阵列作为籽晶，利用助熔剂法液相外延合并生长获得沿解理面的非极性/半极性氮化镓单晶。较之现有技术，本发明在助熔剂法液相外延生长氮化镓过程中，利用质量均匀的作为籽晶的非极性/半极性氮化镓单晶阵列，通过液相外延合并生长，获得较高质量的非极性/半极性氮化镓单晶，进一步采用该氮化镓单晶进行液相外延，可获得非极性/半极性的氮化镓体单晶。
基本信息
专利标题 ：
非极性/半极性氮化镓单晶及其助熔剂法生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111434809A
申请号 ：
CN201910038242.2
公开（公告）日 ：
2020-07-21
申请日 ：
2019-01-14
授权号 ：
CN111434809B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
刘宗亮徐科任国强王建峰
申请人 ：
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王茹
优先权 ：
CN201910038242.2
主分类号 ：
C30B19/02
IPC分类号 ：
C30B19/02 C30B29/40
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B19/00
液相外延层生长
C30B19/02
使用熔融态溶剂，如助溶剂的
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2020-08-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 19/02
申请日 : 20190114
申请日 : 20190114
2020-07-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
