一种用于氮化镓单晶生长的反应装置
授权
摘要

本实用新型公开了一种用于氮化镓单晶生长的反应装置,包括反应炉体,所述反应炉体内设有用于氮化镓单晶生长的反应腔,所述反应腔内设有隔板并通过隔板分割为第一反应空间和第二反应空间,所述第一反应空间用于溶解氮化镓形成离子化中间复合物,所述第二反应空间内设有籽晶用于生成氮化镓单晶,所述隔板用于将离子化中间复合物从第一反应空间转移至第二反应空间,所述炉体内还设有温控系统和加压系统。本实用新型提供的用于氮化镓单晶生长的反应装置,通过控制第一反应空间和第二反应空间为不同的温度,及隔板控制氮化镓单晶生长过程中的传质流量和方向,实现氮化镓单晶的平衡型生长,有效降低位错密度,提高产率,大大提高晶体的品质。

基本信息
专利标题 :
一种用于氮化镓单晶生长的反应装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202122740180.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-11-10
授权号 :
CN216192880U
授权日 :
2022-04-05
发明人 :
张华芹张冬翔李广敏
申请人 :
上海韵申新能源科技有限公司
申请人地址 :
上海市松江区漕河泾开发区松江高科技园莘砖公路258号39幢402室-1
代理机构 :
上海愉腾专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
谢小军
优先权 :
CN202122740180.5
主分类号 :
C30B29/40
IPC分类号 :
C30B29/40  C30B7/14  C30B9/00  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/40
AⅢBv化合物
法律状态
2022-04-05 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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