一种生长高结晶氮化铟单晶外延膜的方法
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
一种生长高结晶氮化铟单晶外延膜的方法，在蓝宝石衬底上利用MOCVD系统先生长GaN缓冲层，在500－700℃温度范围生长厚度在20－100nm的低温GaN缓冲层；然后利用MOCVD生长高结晶的InN材料。GaN缓冲层生长后对此缓冲层进行900－1100℃的高温退火；再利用MOCVD生长高结晶的InN材料。本发明实现了在蓝宝石衬底上利用低温GaN做缓冲层在MOCVD系统中生长一种新型材料InN的方法。尤其是设计先生长缓冲层，然后生长高质量高结晶的InN材料。面积尺寸可以达到工业生产使用的尺寸。
基本信息
专利标题 ：
一种生长高结晶氮化铟单晶外延膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1811018A
申请号 ：
CN200510123107.6
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2005-12-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谢自力张荣韩平修向前刘斌李亮顾书林江若琏施毅朱顺明胡立群郑有炓
申请人 ：
南京大学
申请人地址 ：
210093江苏省南京市汉口路22号
代理机构 ：
南京天翼专利代理有限责任公司
代理人 ：
汤志武
优先权 ：
CN200510123107.6
主分类号 ：
C30B25/02
IPC分类号 ：
C30B25/02 C30B29/40
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
法律状态
2010-02-10 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2008-06-18 ：
授权
2006-09-27 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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