用于外延生长设备的预热环及外延生长设备
授权
摘要

本实用新型公开一种用于外延生长设备的预热环及外延生长设备,预热环包括环形主体,环形主体具有上环面和下环面,上环面和下环面互相平行;上环面上设有向上凸出且成对的凸台,成对的凸台均沿环形主体的圆周方向延伸且相对于环形主体的轴线对称设置。通过在上环面上设置沿环形主体圆周方向延伸地一对凸台,凸台的上表面高于上环面,促使预热环两侧的工艺气流向凸台两侧的上环面扩散流动,气流左右两侧空间变大,打破原有的气流平衡,晶圆边缘气体流速加快,涡流减小,弱化边界效应,从而达到改善晶圆的外延层的边缘厚度均匀性。

基本信息
专利标题 :
用于外延生长设备的预热环及外延生长设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020237769.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-03-02
授权号 :
CN211879338U
授权日 :
2020-11-06
发明人 :
夏振军孙伟
申请人 :
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 :
北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 :
北京思创毕升专利事务所
代理人 :
孙向民
优先权 :
CN202020237769.6
主分类号 :
H01L21/67
IPC分类号 :
H01L21/67  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-11-06 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN211879338U.PDF
PDF下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332