外延结构、外延生长方法及光电器件
公开
摘要
本发明揭示了一种外延结构、外延生长方法及光电器件，所述外延结构由下向上依次包括图形化硅衬底、低温成核层、位错过滤缓冲层及大失配外延层，其中：所述位错过滤缓冲层包括高温缓冲层及位于高温缓冲层上的若干周期交替分布的对超晶格位错过滤层和缓冲层，所述超晶格位错过滤层包括若干周期交替分布的势垒层和势阱层。本发明可以在硅衬底上单片异质集成大失配外延层，突破了外延材料和硅衬底之间晶格失配的限制，有效过滤位错，降低位错密度，进一步提高外延材料的晶体质量；在此基础上，可获得硅衬底上单片异质集成的性能优良的探测器及激光器等。
基本信息
专利标题 ：
外延结构、外延生长方法及光电器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300556A
申请号 ：
CN202111666813.0
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李雪飞陆书龙魏铁石吴渊渊
申请人 ：
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区若水路398号
代理机构 ：
苏州三英知识产权代理有限公司
代理人 ：
周仁青
优先权 ：
CN202111666813.0
主分类号 ：
H01L31/0352
IPC分类号 ：
H01L31/0352 H01L31/18 H01S5/02 H01S5/028
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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