载流子扩展结构、生长方法及外延片
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种载流子扩展结构、生长方法及外延片，所述载流子扩展结构生长在浅发光层上，包括：缓冲层单元；电子限制层单元，生长在所述缓冲层单元上；所述缓冲层单元和电子限制层单元中均包括交替生长的InGaN体系材料层和GaN体系材料层，其中，位于所述电子限制层单元中的GaN体系材料层包括依次生长的uGaN前限制层、nAlxGa1‑xN中限制层、uGaN后限制层。本发明的载流子扩展结构，生长在浅发光层与发光层之间，实现降低电子溢出，提高空穴注入发光层的几率，提升发光效率。
基本信息
专利标题 ：
载流子扩展结构、生长方法及外延片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284408A
申请号 ：
CN202111633493.9
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
闫其昂王国斌
申请人 ：
江苏第三代半导体研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城23幢205室
代理机构 ：
苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
殷海霞
优先权 ：
CN202111633493.9
主分类号 ：
H01L33/14
IPC分类号 ：
H01L33/14 H01L33/12 H01L33/00
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/14
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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