测量半导体非平衡载流子寿命的新方法
专利申请的视为撤回
摘要
本发明提供了一种测量半导体非平衡载流子寿命的新方法。是用光注入方法在半导体中激发自由载流子，移动反射谱反射边的频率位置，从而使另一束频率在反射边上的入射光在半导体表面的反射率大幅度地变化。利用这方法来测量半导体内非平衡载流子的寿命，不仅对制作样品无严格要求，而且是无损伤、非接触测量，可以研究各种能量状态下的载流子寿命，更可以检查样品的均匀性。
基本信息
专利标题 ：
测量半导体非平衡载流子寿命的新方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1063159A
申请号 ：
CN92108312.2
公开（公告）日 ：
1992-07-29
申请日 ：
1992-01-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
钱定榕
申请人 ：
中国科学院上海技术物理研究所
申请人地址 ：
200083上海市中山北一路420号
代理机构 ：
中国科学院上海专利事务所
代理人 ：
高毓秋
优先权 ：
CN92108312.2
主分类号 ：
G01N21/63
IPC分类号 ：
G01N21/63 G01R31/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段，即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/62
所测试的材料在其中被激发，因之引起材料发光或入射光的波长发生变化的系统
G01N21/63
光学激发的
法律状态
1995-05-03 ：
专利申请的视为撤回
1992-07-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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