载流子寿命的轴向调节方法
视为撤回的专利申请
摘要
在具有半导体晶体衬底(1)的半导体器件中轴向调节载流子寿命的方法包括下列步骤：(a)将杂质原子扩散入半导体衬底，这些杂质原子应具有如下特性，即它们(I)在晶格格点上易于复合，而在晶格间隙上不易于复合，而且(II)它们的扩散是间隙式的，即按空位机制而不是按替位式机制进行的；(b)用高能粒子照射半导体衬底，在一定的深度内获得所要求的晶格缺陷浓度分布；(c)已扩散杂质原子的热处理。
基本信息
专利标题 ：
载流子寿命的轴向调节方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1043039A
申请号 ：
CN89108602.1
公开（公告）日 ：
1990-06-13
申请日 ：
1989-11-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
弗朗茨·比勒艾里希·郝尔达马塞尔·胡皮
申请人 ：
亚瑞亚·勃朗勃威力有限公司
申请人地址 ：
瑞士巴登
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
马铁良
优先权 ：
CN89108602.1
主分类号 ：
H01L21/322
IPC分类号 ：
H01L21/322 H01L21/22 H01L21/263 H01L21/324 H01L29/30 H01L29/36
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/322
改善其内部性能的，例如产生内部缺陷
法律状态
1991-12-11 ：
视为撤回的专利申请
1990-06-13 ：
公开
1990-05-09 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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