去除硅中的杂质及提高其少数载流子寿命的方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种用于提高受到过渡金属尤其是铁污染的硅本体的少数载流子复合寿命的方法。将所述硅本体在至少200℃的温度下存放至少48小时，所述的存放温度和存放时间足以使这些金属从硅本体的体内区域扩散到其表面，从而明显可测地提高少数载流子复合寿命。
基本信息
专利标题 ：
去除硅中的杂质及提高其少数载流子寿命的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1087208A
申请号 ：
CN93117900.9
公开（公告）日 ：
1994-05-25
申请日 ：
1993-09-23
授权号 ：
CN1034893C
授权日 ：
1997-05-14
发明人 ：
R·法尔斯特
申请人 ：
MEMC电子材料有限公司
申请人地址 ：
美国密苏里州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
杨丽琴
优先权 ：
CN93117900.9
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 C30B33/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2005-11-23 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1997-05-14 ：
授权
1996-01-10 ：
实质审查请求的生效
1994-05-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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