具有提高的载流子迁移率的半导体结构及其制造方法

专利权的终止

摘要

本发明提供了一种具有提高的载流子迁移率的半导体结构。该半导体结构包括具有不同结晶取向的至少两个平面表面的混合取向半导体衬底，以及位于不同结晶取向的平面表面的每个上的至少一个CMOS器件，其中每个CMOS器件具有应力沟道。本发明还提供了制造该半导体结构的方法。总体上说，本发明的方法包括以下步骤：提供具有不同结晶取向的至少两个平面表面的混合取向衬底，以及在不同结晶取向的所述平面表面的每个上形成至少一个CMOS器件，其中每个CMOS器件具有应力沟道。

基本信息

专利标题：

具有提高的载流子迁移率的半导体结构及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1819201A

申请号：

CN200610000322.1

公开（公告）日：

2006-08-16

申请日：

2006-01-04

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

欧阳齐庆S·潘达D·奇丹巴尔拉奥J·R·霍尔特M·艾昂

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

于静

优先权：

CN200610000322.1

主分类号：

H01L27/092

IPC分类号：

H01L27/092 H01L21/8238

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L27/00

由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件

H01L27/02

包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的

H01L27/04

其衬底为半导体的

H01L27/08

只包括有一种半导体组件的

H01L27/085

只包含场效应的组件

H01L27/088

有绝缘栅场效应晶体管的组件

H01L27/092

互补MIS场效应晶体管

法律状态

2019-12-20 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 27/092
申请日 : 20060104
授权公告日 : 20081022
终止日期 : 20190104

2017-12-01 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 27/092
登记生效日 : 20171110
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格芯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛

2017-12-01 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 27/092
登记生效日 : 20171110
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约

2008-10-22 ：

授权

2006-10-11 ：

实质审查的生效

2006-08-16 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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