半导体结构及半导体结构的制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明实施例提供一种半导体结构及半导体结构的制造方法，半导体结构包括：基底；位于所述基底上的栅极结构，所述栅极结构包括依次层叠设置的第一导电层、阻挡层和第二导电层；其中，所述第一导电层包括第一多晶硅层、第一金属层和第二多晶硅层，且所述第一多晶硅层靠近所述基底，所述第二多晶硅层紧贴所述阻挡层；所述第一金属层位于所述第一多晶硅层与所述第二多晶硅层之间。本发明实施例的栅极结构具有竖直的形貌及较强的电性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及半导体结构的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530493A
申请号 ：
CN202011324586.9
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2020-11-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
龙强
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
成丽杰
优先权 ：
CN202011324586.9
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/49 H01L21/28
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/423
申请日 : 20201123
申请日 : 20201123
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
