一种载流子迁移率高的MOSFET
授权
摘要
本实用新型涉及半导体技术领域,公开了一种载流子迁移率高的MOSFET，硅衬底的顶部设有二氧化硅层，二氧化硅层的厚度在50nm～70nm之间，硅衬底的顶部的左部和右部分别设有掺杂层，二氧化硅层和掺杂层上设有介电层，介电层的厚度在25nm～35nm之间，介电层上在掺杂层的对应区域开设有接触孔，接触孔内设有金属电极，金属电极与掺杂层电连接，介电层的顶部在两金属电极之间设有栅极金属层，本实用新型通过增加二氧化硅层的厚度即增加本实用新型在实际制作时的二氧化硅层的生长和退火时间，有利于硅衬底上未被氧化的区域与二氧化硅层的接触界面的平坦化，进而降低硅衬底上未被氧化的区域与二氧化硅层的接触界面的粗糙度，进而抑制界面散射，提高MOSFET的电子迁移率。
基本信息
专利标题 ：
一种载流子迁移率高的MOSFET
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123086106.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-09
授权号 ：
CN216354226U
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
毛昊源
申请人 ：
无锡市捷瑞微电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市锡山经济技术开发区荟智企业中心凤威路2号A310
代理机构 ：
无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
郭慧
优先权 ：
CN202123086106.2
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78
法律状态
2022-04-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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