高电子迁移率晶体管
授权
摘要
本公开涉及高电子迁移率晶体管。例如，一种HEMT包括：半导体本体，其包含半导体异质结构；以及导电栅极区域。栅极区域包括：接触区域，由第一金属材料制成并接触半导体本体以形成肖特基结；势垒区域，由第二金属材料制成并设置在接触区域上；以及顶部区域，在势垒区域上延伸并由第三金属材料制成，其电阻率低于第一金属材料的电阻率。该HEMT还包括介电区域，介电区域包括在接触区域上方延伸、界定延伸到接触区域的前部开口的至少一个前部介电子区域；并且其中势垒区域延伸到前部开口中并且位于前部介电子区域的至少部分上方。
基本信息
专利标题 ：
高电子迁移率晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922213501.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-11
授权号 ：
CN211182213U
授权日 ：
2020-08-04
发明人 ：
F·尤克拉诺C·特林加里
申请人 ：
意法半导体股份有限公司
申请人地址 ：
意大利阿格拉布里安扎
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
张昊
优先权 ：
CN201922213501.9
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/47 H01L21/335 H01L29/778
法律状态
2020-08-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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