高电子迁移率晶体管及其制作方法
公开
摘要
本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该高电子迁移率晶体管包含一第一III‑V族化合物层，一第二III‑V族化合物层设置于第一III‑V族化合物层上，第二III‑V族化合物层的组成与第一III‑V族化合物层不同，一第三III‑V族化合物层设置于第二III‑V族化合物层上，其中第一III‑V族化合物层和第三III‑V族化合物层由相同的第III族和第V族元素组成，第三III‑V族化合物层包含一本体和多个指状部位，其中各个指状部位和本体相连，各个指状部位彼此平行且彼此不接触，一源极电极设置在本体的一侧并且接触第一III‑V族化合物层，一漏极电极设置在本体的另一侧并且接触第一III‑V族化合物层，一栅极电极设置在本体的正上方。
基本信息
专利标题 ：
高电子迁移率晶体管及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628511A
申请号 ：
CN202011457077.3
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨柏宇
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN202011457077.3
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L21/335 H01L29/06
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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