高电子迁移率晶体管及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该高电子迁移率晶体管包含一第一III‑V族化合物层，一第二III‑V族化合物层设置于第一III‑V族化合物层上，第二III‑V族化合物层的组成与第一III‑V族化合物层不同，一沟槽设置于第二III‑V族化合物层和第一III‑V族化合物层中，其中沟槽具有一第一转角和一第二转角都位于第一III‑V族化合物层中，一第一介电层接触第一转角的侧壁，一第二介电层接触第二转角的侧壁，第一介电层和第二介电层都位于沟槽之外，一栅极设置于沟槽内，一源极电极设置于栅极的一侧，一漏极电极设置于栅极的另一侧，一栅极电极设置栅极的正上方。
基本信息
专利标题 ：
高电子迁移率晶体管及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551590A
申请号 ：
CN202011344582.7
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-11-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张智伟锺耀贤苏士炜张豪轩林大钧简廷安蔡滨祥
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN202011344582.7
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/423 H01L21/335
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/778
申请日 : 20201126
申请日 : 20201126
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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