高电子迁移率晶体管器件和电子器件

授权

摘要

本公开的实施例涉及高电子迁移率晶体管器件和电子器件。多个实施例涉及一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：衬底，具有第一表面；第一异质结构和第二异质结构，在衬底上并且彼此面对，第一异质结构和第二异质结构中的每个异质结构包括在衬底的第一表面上的第一半导体层、在衬底的第一表面上的第二半导体层以及在第一半导体层与第二半导体层之间的二维电极气体2DEG层；掺杂半导体层，在第一异质结构与第二异质结构之间；以及源极接触，在第一异质结构和第二异质结构上。利用本公开所提供的实施例在增加速度和减少杂散电感方面具有显著优点。

基本信息

专利标题：

高电子迁移率晶体管器件和电子器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202022119175.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-09-24

授权号：

CN213459743U

授权日：

2021-06-15

发明人：

D·G·帕蒂

申请人：

意法半导体股份有限公司

申请人地址：

意大利阿格拉布里安扎

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

董莘

优先权：

CN202022119175.8

主分类号：

H01L29/778

IPC分类号：

H01L29/778 H01L27/06 H01L21/335