晶体管和电子器件
授权
摘要
本公开的实施例涉及晶体管和电子器件。公开了一种晶体管。在一个实施例中，晶体管包括衬底的第一半导体区、在第一侧分隔第一半导体区的第一沟道、位于第一沟道中的第一导电元件、与第一半导体区接触的通道区域和与第一半导体区接触的第一区域，其中通道区域和第一接触区域位于衬底的相同的表面侧。本公开的实施例克服了已知晶体管的全部或部分缺点，例如，能够室晶体管降低通态电阻和/或减小占用的表面积和/或提高阻塞的电压。
基本信息
专利标题 ：
晶体管和电子器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020927734.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-27
授权号 ：
CN212571007U
授权日 ：
2021-02-19
发明人 ：
R·杰尔马纳-卡尔皮内托
申请人 ：
意法半导体(鲁塞)公司
申请人地址 ：
法国鲁塞
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
董莘
优先权 ：
CN202020927734.5
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06 H01L27/088
法律状态
2021-02-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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