本发明公开了一种射频高电子迁移率晶体管制作方法、晶体管及电子器件，其中，射频高电子迁移率晶体管制作方法，衬底上光刻和刻蚀形成硬介质阻挡层结构，硬介质阻挡层结构两侧暴露出源极接触区和漏极接触区，硬介质阻挡层结构用于确定栅极区域，由于硬介质阻挡层结构的存在使得后续的N型掺杂注入和沉积第一金属层可以实现了自对准的效果，以此减少了对准次数；第二介质层的侧面形成的凹槽结构，用于通过湿法剥离快速的将第二介质层和第三介质层及其上沉积的第一金属层进行剥离，以此使得栅极区域到源漏极区域的可以保持充分的间隔距离，大大的减小了对准误差以及源漏极的接入电阻，最终提高射频高电子迁移率晶体管的射频性能的技术效果。