用于制造高电子迁移率晶体管器件的中间结构

授权

摘要

本公开的实施例涉及用于制造高电子迁移率晶体管器件的中间结构。本公开涉及一种用于制造高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的中间结构，包括：包含异质结构的半导体本体；所述异质结构上的底层；所述底层上的光刻胶层；完全延伸穿过所述光刻胶层和所述底层并进入所述异质结构中的开口，所述开口包括所述异质结构中的沟槽，并且所述开口在所述底层中比在所述光刻胶层中横向延伸得更远，使得所述光刻胶层包括延伸超过所述底层的突出部分；以及形成在所述沟槽中的欧姆接触。

基本信息

专利标题：

用于制造高电子迁移率晶体管器件的中间结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922065261.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-11-26

授权号：

CN211125660U

授权日：

2020-07-28

发明人：

F·尤克拉诺C·特林加里

申请人：

意法半导体股份有限公司

申请人地址：

意大利阿格拉布里安扎

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

闫昊

优先权：

CN201922065261.2

主分类号：

H01L29/417

IPC分类号：

H01L29/417 H01L29/45 H01L29/778 H01L21/28 H01L21/335